IXFN26N120P

Производитель: IXYS
Номер части: IXFN26N120P
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 26 Amps 1200V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	23 A
Pd - рассеивание мощности	695 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	460 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	1200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Вес изделия	38 g
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	55 ns
Время спада	58 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HyperFET
Конфигурация	Single Dual Source
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	10
Серия	IXFN26N120
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	76 ns
Типичное время задержки при включении	56 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	SOT-227-4

Метки: