IPB065N15N3 G

IPB065N15N3 G

IPB065N15N3 G
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPB065N15N3 G
Нормоупаковка: 1000 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1000
МОП-транзистор N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 130 A
Pd - рассеивание мощности 300 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 35 ns
Время спада 14 ns
Другие названия товара № IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GXT SP000521724
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение OptiMOS
Конфигурация Single Quint Source
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Infineon
Размер фабричной упаковки 1000
Серия OptiMOS 3
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 46 ns
Типичное время задержки при включении 25 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel
Упаковка / блок D2PAK-7
Метки:
Страница создана за 0.782 секунд.