IXFX300N20X3

Производитель: null
Номер части: IXFX300N20X3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IXFX300N20X3 Лист данных	скачать

МОП-транзистор N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	300 A
Pd - рассеивание мощности	1250 W
Qg - заряд затвора	375 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
Вес изделия	6 g
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	43 ns
Время спада	13 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HiPerFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	80 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	30
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	184 ns
Типичное время задержки при включении	44 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	PLUS-247-3
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999

Метки: