IPT60R102G7XTMA1

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPT60R102G7XTMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IPT60R102G7XTMA1 Лист данных	скачать

МОП-транзистор HIGH POWER NEW

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	23 A
Pd - рассеивание мощности	141 W
Qg - заряд затвора	34 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	88 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	5 ns
Время спада	4 ns
Другие названия товара №	IPT60R102G7 SP001579318
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	2000
Серия	CoolMOS G7
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	60 ns
Типичное время задержки при включении	18 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	HSOF-8
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999

Метки: