SIDR668DP-T1-GE3

Производитель: Vishay / Siliconix
Номер части: SIDR668DP-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
SIDR668DP-T1-GE3 Лист данных	скачать

МОП-транзистор 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	95 A
Pd - рассеивание мощности	125 W
Qg - заряд затвора	72 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	5.05 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	7.5 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	25 ns
Время спада	28 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SID
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	38 ns
Типичное время задержки при включении	22 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-SO-8DC-8
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999

Метки: