NVMFD5C470NLWFT1G

NVMFD5C470NLWFT1G

NVMFD5C470NLWFT1G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NVMFD5C470NLWFT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации: Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
NVMFD5C470NLWFT1G Лист данных скачать
МОП-транзистор T6 40V LL S08FL DS
МОП-транзистор
Квалификация AEC-Q101
Id - непрерывный ток утечки 36 A
Pd - рассеивание мощности 24 W
Qg - заряд затвора 9 nC, 9 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 9.2 mOhms, 9.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 55 ns, 55 ns
Время спада 36 ns, 36 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 2 Channel
Конфигурация Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 30 S, 30 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки 1500
Серия NVMFD5C470NL
Технология Si
Тип транзистора 2 N-Channel
Типичное время задержки выключения 20 ns, 20 ns
Типичное время задержки при включении 9.3 ns, 9.3 ns
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Reel
Упаковка / блок DFN-8
CNHTS 8542390000
MXHTS 85423901
TARIC 8542399000
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.312 секунд.