+7(8482)93-11-33
+79277730386
NVMFD5C650NLWFT1G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NVMFD5C650NLWFT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Номер части: NVMFD5C650NLWFT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Новый продукт: Новинка от этого производителя.Цена: по запросу
| Описание | действие |
| NVMFD5C650NLWFT1G Лист данных | скачать |
МОП-транзистор T6 60V LL S08FL DS
| МОП-транзистор | |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Id - непрерывный ток утечки | 111 A |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Qg - заряд затвора | 37 nC, 37 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.5 mOhms, 3.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 24 ns, 24 ns |
| Время спада | 13 ns, 13 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 120 S, 120 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 1500 |
| Серия | NVMFD5C650NL |
| Технология | Si |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 37 ns, 37 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns, 13 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | DFN-8 |
| CNHTS | 8541290000 |
| MXHTS | 85423901 |
| TARIC | 8542399000 |
Страница создана за 0.366 секунд.