NVMFD5C680NLT1G

NVMFD5C680NLT1G

NVMFD5C680NLT1G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NVMFD5C680NLT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации: Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
NVMFD5C680NLT1G Лист данных скачать
МОП-транзистор T6 60V LL S08FL DS
МОП-транзистор
Квалификация AEC-Q101
Id - непрерывный ток утечки 26 A
Pd - рассеивание мощности 19 W
Qg - заряд затвора 5 nC, 5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 23 mOhms, 23 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 25 ns, 25 ns
Время спада 23 ns, 23 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 2 Channel
Конфигурация Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 50 S, 50 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки 1500
Серия NVMFD5C680NL
Технология Si
Тип транзистора 2 N-Channel
Типичное время задержки выключения 13 ns, 13 ns
Типичное время задержки при включении 6.4 ns, 6.4 ns
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Reel
Упаковка / блок DFN-8
CNHTS 8542390000
MXHTS 85423901
TARIC 8542399000
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.655 секунд.