+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
NVMFD5C680NLT1G Лист данных | скачать |
МОП-транзистор | |
Квалификация | AEC-Q101 |
Id - непрерывный ток утечки | 26 A |
Pd - рассеивание мощности | 19 W |
Qg - заряд затвора | 5 nC, 5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 23 mOhms, 23 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 25 ns, 25 ns |
Время спада | 23 ns, 23 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 2 Channel |
Конфигурация | Dual |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 50 S, 50 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | ON Semiconductor |
Размер фабричной упаковки | 1500 |
Серия | NVMFD5C680NL |
Технология | Si |
Тип транзистора | 2 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 13 ns, 13 ns |
Типичное время задержки при включении | 6.4 ns, 6.4 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | DFN-8 |
CNHTS | 8542390000 |
MXHTS | 85423901 |
TARIC | 8542399000 |