NVMFS6H801NT1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NVMFS6H801NT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
NVMFS6H801NT1G Лист данных	скачать

МОП-транзистор TRENCH 8 80V NFET

МОП-транзистор
Квалификация	AEC-Q101
Id - непрерывный ток утечки	157 A
Pd - рассеивание мощности	166 W
Qg - заряд затвора	64 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	80 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	74 ns
Время спада	19 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	128 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	1500
Технология	Si
Типичное время задержки выключения	70 ns
Типичное время задержки при включении	25 ns
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SO-8FL
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999

Метки: