+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
IPT65R195G7XTMA1 Лист данных | скачать |
МОП-транзистор | |
Высота | 2.4 mm |
Длина | 10.58 mm |
Ширина | 10.1 mm |
Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
Pd - рассеивание мощности | 97 W |
Qg - заряд затвора | 20 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 424 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вес изделия | 768.600 mg |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 5 ns |
Время спада | 9 ns |
Другие названия товара № | IPT65R195G7 SP001456206 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | CoolMOS |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | Infineon |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Серия | CoolMOS G7 |
Технология | Si |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 46 ns |
Типичное время задержки при включении | 9 ns |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | HSOF-8 |
CNHTS | 8541290000 |
MXHTS | 85412999 |
TARIC | 8541290000 |