IPT60R028G7XTMA1

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPT60R028G7XTMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IPT60R028G7XTMA1 Лист данных	скачать

МОП-транзистор HIGH POWER NEW

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	75 A
Pd - рассеивание мощности	391 W
Qg - заряд затвора	123 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	28 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	9 ns
Время спада	2.8 ns
Другие названия товара №	IPT60R028G7 SP001579312
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	2000
Серия	CoolMOS G7
Технология	Si
Типичное время задержки выключения	100 ns
Типичное время задержки при включении	28 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	HSOF-8
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999

Метки: