+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
IAUT150N10S5N035ATMA1 Лист данных | скачать |
МОП-транзистор | |
Квалификация | AEC-Q101 |
Id - непрерывный ток утечки | 150 A |
Pd - рассеивание мощности | 166 W |
Qg - заряд затвора | 67 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.5 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 7 ns |
Время спада | 26 ns |
Другие названия товара № | IAUT150N10S5N035 SP001416126 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | Infineon |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Технология | Si |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 23 ns |
Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | HSOF-8 |
CNHTS | 8541290000 |
MXHTS | 85412999 |