SIDR140DP-T1-GE3

Производитель: Vishay / Siliconix
Номер части: SIDR140DP-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
SIDR140DP-T1-GE3 Лист данных	скачать

МОП-транзистор 25V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8DC

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	100 A
Pd - рассеивание мощности	125 W
Qg - заряд затвора	170 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	670 uOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	25 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, - 16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	9 ns
Время спада	9 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	90 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SID
Технология	Si
Типичное время задержки выключения	46 ns
Типичное время задержки при включении	19 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-SO-8DC-8
CNHTS	8541210000

Метки: