+7(8482)93-11-33
+79277730386
img0
img0
Описание | действие |
IPDD60R080G7XTMA1 Лист данных | скачать |
МОП-транзистор | |
Id - непрерывный ток утечки | 29 A |
Pd - рассеивание мощности | 174 W |
Qg - заряд затвора | 42 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 80 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 5 ns |
Время спада | 3.5 ns |
Другие названия товара № | IPDD60R080G7 SP001632824 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | Infineon |
Размер фабричной упаковки | 1700 |
Технология | Si |
Типичное время задержки выключения | 61 ns |
Типичное время задержки при включении | 19 ns |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | PG-HDSOP-10 |
CNHTS | 8541290000 |
MXHTS | 85412999 |