img0
img0
 IPDD60R080G7XTMA1

IPDD60R080G7XTMA1

IPDD60R080G7XTMA1
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPDD60R080G7XTMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации: Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
IPDD60R080G7XTMA1 Лист данных скачать
МОП-транзистор HIGH POWER_NEW
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 29 A
Pd - рассеивание мощности 174 W
Qg - заряд затвора 42 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 80 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 5 ns
Время спада 3.5 ns
Другие названия товара № IPDD60R080G7 SP001632824
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Infineon
Размер фабричной упаковки 1700
Технология Si
Типичное время задержки выключения 61 ns
Типичное время задержки при включении 19 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel
Упаковка / блок PG-HDSOP-10
CNHTS 8541290000
MXHTS 85412999
Метки:
Страница создана за 0.416 секунд.