R8008ANJFRGTL

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: R8008ANJFRGTL
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
R8008ANJFRGTL Лист данных	скачать

МОП-транзистор Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK); LPTS

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	8 A
Pd - рассеивание мощности	195 W
Qg - заряд затвора	38 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.03 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	800 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	35 ns
Время спада	30 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	2 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	1000
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	90 ns
Типичное время задержки при включении	30 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-263S-3
CNHTS	8541210000

Метки: