IXFJ20N85X

Производитель: IXYS
Номер части: IXFJ20N85X
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IXFJ20N85X Лист данных	скачать

МОП-транзистор 850V/9.5A Ultra Junction X-Class HiPerFET Power МОП-транзистор, ISO TO-247

МОП-транзистор
Код HTS	8541290095
Id - непрерывный ток утечки	9.5 A
Pd - рассеивание мощности	110 W
Qg - заряд затвора	63 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	360 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	850 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.5 V
Вес изделия	5 g
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	28 ns
Время спада	20 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HiPerFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	6 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	30
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	44 ns
Типичное время задержки при включении	20 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999

Метки: