EMT1DXV6T5G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: EMT1DXV6T5G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 100mA 60V Dual PNP

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	357 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	120
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	140 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	8000
Серия	EMT SERIES
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-563-6

Метки: