QSZ2TR

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: QSZ2TR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
QSZ2TR Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 30V 1.5A 5PIN

Биполярные транзисторы - BJT
Высота	0.85 mm
Длина	2.9 mm
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	270 at 100 mA at 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	300 MHz, 280 MHz
Ширина	1.6 mm
Pd - рассеивание мощности	1.25 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	QSZ2
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	270 at 100 mA at 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	140 mV, - 200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN, PNP
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	QSZ2
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel

Метки: