CZT5551 TR

Производитель: Central Semiconductor
Номер части: CZT5551 TR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN High Voltage

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	2 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	80
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.6 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	180 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	160 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	300 MHz
Производитель	Central Semiconductor
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	CZT5551
Торговая марка	Central Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-223

Метки: