+7(8482)93-11-33
+79277730386
RN1103MFV,L3F
Производитель: Toshiba
Номер части: RN1103MFV,L3F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: RN1103MFV,L3F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor with Built-in Transistor
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 70 at 10 mA at 5 V |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | Toshiba |
| Технология | Si |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-723-3 |
Страница создана за 0.208 секунд.