NSV60200LT1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NSV60200LT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 60V PNP LOW VCE(SAT) XTR

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	460 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	100
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 4 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	170 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 7 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	NSS60200LT1G
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23

Метки: