ECH8102-TL-H

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: ECH8102-TL-H
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 12A 30V

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	1.6 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	200
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 24 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 80 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 6 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	140 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	ECH8102
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	ECH-8

Метки: