+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
STD840DN40 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT | |
Pd - рассеивание мощности | 3 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 8 |
Конфигурация | Dual |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V to 18 V |
Полярность транзистора | NPN |
Производитель | STMicroelectronics |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | 500V to 1000V Transistors |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | DIP-8 |