+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
2N5786 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT | |
Pd - рассеивание мощности | 10000 mW |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 4 at 1.6 A, 2 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 120 |
Максимальная рабочая температура | + 200 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3.5 A |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 45 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3.5 V |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 4 MHz |
Производитель | Central Semiconductor |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | 2N5786 |
Торговая марка | Central Semiconductor |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-39 |