BSV52LT1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: BSV52LT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 100mA 12V Switching NPN

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	225 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	25
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	12 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	400 mV
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	400 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BSV52L
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23-3

Метки: