ZXTN25012EZTA

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: ZXTN25012EZTA
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
ZXTN25012EZTA Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT NPN 12V HIGH GAIN

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	4460 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	30 at 15 A at 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	1500 at 10 mA at 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	6.5 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	12 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	38 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	260 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	ZXTN250
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-89-3

Метки: