+7(8482)93-11-33
+79277730386
NJVMJD45H11G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NJVMJD45H11G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: NJVMJD45H11G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы - BJT
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 90 MHz |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
Страница создана за 0.179 секунд.