NSV1C301ET4G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NSV1C301ET4G
Нормоупаковка: 2500 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 2500

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	33 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	120
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	360
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	6 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	140 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.115 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	120 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	NSS1C301E
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DPAK

Метки: