2SB1215S-TL-E

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: 2SB1215S-TL-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 3A 100V

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	20 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	400
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 6 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 0.2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 6 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	130 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	700
Серия	2SB1215
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SC-63

Метки: