HN4A51JTE85LF

Производитель: Toshiba
Номер части: HN4A51JTE85LF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	200
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	700
Максимальный постоянный ток коллектора	- 100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 120 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 0.3 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz
Производитель	Toshiba
Размер фабричной упаковки	3000
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-25

Метки: