2N930B

Производитель: Central Semiconductor
Номер части: 2N930B
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
2N930B Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT NPN Gen Pur SS

Биполярные транзисторы - BJT
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	BK
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	100
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	45 MHz
Производитель	Central Semiconductor
Размер фабричной упаковки	2000
Серия	2N930
Торговая марка	Central Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-18

Метки: