NJVMJD31T4G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NJVMJD31T4G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	15 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	10
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	50
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	3 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	MJD31
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DPAK

Метки: