FZT869TA

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: FZT869TA
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN High Ct Low Sat

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	3 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	40 at 20 A, 1 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	7 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	25 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	FZT869
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-223

Метки: