DXT13003EK-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DXT13003EK-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 100V NPN 460V Trans 1.5A 3W 4MHz 400mV

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	3.9 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	5 at 1 A, 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	30
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	460 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	400 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	9 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	4 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DXT13003
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-252

Метки: