NSS1C201MZ4T3G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NSS1C201MZ4T3G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA NPN

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	2000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	150 at 10 mA at 2 V, 120 at 0.5 A at 2 V, 80 at 1 A at 2 V, 40 at 2 A at 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	150
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	140 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	180 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	NSS1C201MZ4
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-223-3

Метки: