PBHV8118T,215

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PBHV8118T,215
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 180V 1A NPN HI VLTGE LO VCESAT TRANSISTOR

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	50
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	250
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	400 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	180 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	30 MHz
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	3000
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-236AB

Метки: