FCX555TA

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: FCX555TA
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 180V H-Voltage PNP Switching Transistor

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	2100 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	100 at - 10 mA, - 5 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	100
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 2 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 180 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 150 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 400 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 7 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	FCX55
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-89

Метки: