+7(8482)93-11-33
+79277730386
Биполярные транзисторы - BJT | |
Pd - рассеивание мощности | 125 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 7 at 5 A, 3 V |
Максимальная рабочая температура | + 200 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 850 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 5 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 28 MHz |
Производитель | Central Semiconductor |
Размер фабричной упаковки | 20 |
Серия | 2N6545 |
Торговая марка | Central Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-3 |