BC 860B E6327

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BC 860B E6327
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF Transistor

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	330 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	BC860BE6327HTSA1 BC860BE6327XT SP000010642
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	125 at 2 mA at 5 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	800 at 2 mA at 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	650 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	250 MHz
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BC860
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23-3

Метки: