PBSS4160DSH

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PBSS4160DSH
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 1A NPN/NPN Low VCEsat Transistor

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	700 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	250 at 1 mA, 5 V
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	500 at 1 mA, 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	NPN, NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	220 MHz
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TSOP-6

Метки: