BC857BFZ-7B

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: BC857BFZ-7B
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT PNP SS Trans -100mA 45Vceo 0.435W 175mV

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	350 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	220
Коммерческое обозначение	BC857
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	475
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 200 mA
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 250 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	200 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	BC857B
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DFN0606-3

Метки: