KSB834WYTM

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: KSB834WYTM
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	30 W
Вес изделия	1.312 g
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	60
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	200
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 7 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	9 MHz
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	800
Серия	KSB834
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-263

Метки: