PBSS4160DS,115

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PBSS4160DS,115
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	700 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	PBSS4160DS T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	100 at 1 A at 5 V, 100 at 1 A at 5 V
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	250 at 1 mA at 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A, 2 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V, 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V, 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV, 200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V, 5 V
Полярность транзистора	NPN, NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	220 MHz, 220 MHz
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	3000
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SC-74-6

Метки: