NSVT65010MW6T1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NSVT65010MW6T1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT Dual Matched PNP Tra

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	380 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	0.9 at - 2 mA at - 5 V, 0.9 at - 2 mA at - 5 V
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	1.1 at - 2 mA at - 5 V, 1.1 at - 2 mA at - 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 100 mA, - 100 mA
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 80 V, - 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 65 V, - 65 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 300 mV, - 300 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V, - 5 V
Полярность транзистора	PNP, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz, 100 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-363-6

Метки: