2SC6082-1E

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: 2SC6082-1E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 15A 50V

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	23 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	560
Максимальный постоянный ток коллектора	20 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	195 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	50
Серия	2SC6082-1E
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3 FP

Метки: