MJD31CITU

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: MJD31CITU
Нормоупаковка: 70 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 5040

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	15 W
Вес изделия	343.080 mg
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	10
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	50
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	3 MHz
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	5040
Серия	MJD31
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-251

Метки: