+7(8482)93-11-33
+79277730386
Биполярные транзисторы - BJT | |
Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 40 at 1 nA at 6 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 1 mA at 6 V |
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 20 mA |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 550 MHz |
Производитель | Toshiba |
Технология | Si |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | SOT-416-3 |