BC846BPDW1T1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: BC846BPDW1T1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 100mA 80V Dual Complementary

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	380 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	150
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 80 V, + 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 65 V, + 65 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V at NPN, 5 V at PNP
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BC846BPDW1
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SC-70-6

Метки: