2DA1213O-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: 2DA1213O-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
2DA1213O-13 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT 1W -50V

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	1000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	70
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	140 at 0.5 A at 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 2 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	160 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	2DA12
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-89-3

Метки: