NJVMJD44H11G

NJVMJD44H11G

NJVMJD44H11G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NJVMJD44H11G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Биполярные транзисторы - BJT BIP DPAK NPN 8A 80V
Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности 20 W
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 60
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 85 MHz
Производитель ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки 75
Серия D44H
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Tube
Упаковка / блок D-PAK
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.22 секунд.